Descripción
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Transistor FGA30S120P TO3PN
- Fabricante ONSEMI
- Tipo de transistor IGBT
- Tensión colector-emisor 1.3kV
- Corriente de colector 30A
- Poder disipado 174W
- Carcasa TO3PN
- Tensión entrada – emisor ±25V
- Corriente de colector en impulso 150A
- Montaje THT
- Carga de puerta 78nC
- Clase de empaquetado tubo
- integrated anti-parallel diode
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